г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1010Z Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1010Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1010Z.jpg
Other Names
SP001515582
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW75N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 150 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7241TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO, P-Channel 40 V 6.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 31 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL1004
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB, N-Channel 40 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3, N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее