г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1324 Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1324
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB, N-Channel 24 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
301 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1324.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
24 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7590 pF @ 24 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
INFINFAUIRF1324,SP001517770,2156-AUIRF1324
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC037N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IGW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: AUIRGS4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W D2PAK, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1B11BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF9540NLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO262, P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BFR183E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее