г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1324WL Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1324WL
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 24V 240A TO262-3, N-Channel 24 V 240A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262-3 Wide
Цена
548 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1324WL.jpg
Other Names
2156-AUIRF1324WL,SP001516588,INFIRFAUIRF1324WL
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
24 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7630 pF @ 19 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRF1324
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Wide Leads
Supplier Device Package
TO-262-3 Wide
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9530NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK, P-Channel 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FS200T12A1T4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Подробнее
Артикул: BSL207SPH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6, P-Channel 20 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее
Артикул: BSM50GB170DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 72A 500W, IGBT Module - Half Bridge 1700 V 72 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCR183S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: FS20R06VE3B2BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 25A 71.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 25 A 71.5 W Chassis Mount Module
Подробнее