г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS200T12A1T4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS200T12A1T4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
IGBT Type
-
Input
-
Configuration
-
Other Names
SP000840730
Mounting Type
-
Standard Package
1
HTSUS
0000.00.0000
ECCN
OBSOLETE
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
-
Package / Case
-
Operating Temperature
-
Part Status
Obsolete
Package
Tray
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP034NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3, N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IGW60T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 375 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7905TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.8A, 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSP149H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: BUZ311
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее