г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1405ZL Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1405ZL
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 150A TO262, N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
260 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1405ZL.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4780 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001516578,2156-AUIRF1405ZL,INFINFAUIRF1405ZL
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF8010PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB, N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFH5406TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN, N-Channel 60 V 11A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: BAR5002VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IRGB4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W TO220, IGBT - 600 V 11 A 58 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS4310ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее