г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD316SNH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6, N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSD316SNH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSD316SNH6327XTSA1-ND,BSD316SN H6327,448-BSD316SNH6327XTSA1DKR,BSD316SN H6327-ND,448-BSD316SNH6327XTSA1CT,448-BSD316SNH6327XTSA1TR,SP000917668
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
94 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSD316
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO, N-Channel 30 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFB7746PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB, N-Channel 75 V 59A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDP30E60XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRF4104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPD15N06S2L-64
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3, N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRLHM620TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN, N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее