г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL3705NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRL3705NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB, N-Channel 55 V 89A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
344 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL3705NPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
89A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IFEINFIRL3705NPBF,*IRL3705NPBF,2156-IRL3705NPBF,SP001578520
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRL3705
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGSL4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO262, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFB17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR120NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: AUIRLS3036-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK, N-Channel 60 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: FT150R12KE3G_B4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 700W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 200 A 700 W Chassis Mount Module
Подробнее