г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF6218S Infineon Technologies

Артикул
AUIRF6218S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF6218S.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001516490,2156-AUIRF6218S,INFIRFAUIRF6218S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW20N120R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFIZ48N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP, N-Channel 55 V 36A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPB80N06S2L-H5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRGS4B60KD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 63W D2PAK, IGBT NPT 600 V 11 A 63 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPW55N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3, N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее