г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFB8405 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFB8405
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
518 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFB8405.jpg
Other Names
SP001516720,IRAUIRFB8405
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
163W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5193 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRFB8405
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR198E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRL520NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC600N25NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IPP100N06S2L05AKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3, N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB7545PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 95A TO220, N-Channel 60 V 95A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BSC025N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8, N-Channel 30 V 23A (Ta). 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее