г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFP1405 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFP1405
Бренд
Infineon Technologies
Описание
AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A, N-Channel 55 V 95A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
410 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFP1405.jpg
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
TO-247AC
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-AUIRFP1405-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS200T12A1T4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Подробнее
Артикул: IRF7301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFH7914TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56, N-Channel 30 V 15A (Ta), 35A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFB4215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB, N-Channel 60 V 115A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее