г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFP1405 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFP1405
Бренд
Infineon Technologies
Описание
AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A, N-Channel 55 V 95A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
410 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFP1405.jpg
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
TO-247AC
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-AUIRFP1405-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPP80R360P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3, N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FF450R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: IPD60R1K4C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRLML2030TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23, N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее