г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFR5505 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFR5505
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFR5505.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
57W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
2156-AUIRFR5505,INFINFAUIRFR5505,SP001519564
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FP25R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 155W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 40 A 155 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSD214SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IPA086N10N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPB03N03LA
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3, N-Channel 25 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее