г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFS4010 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFS4010
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
651 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFS4010.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9575 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001522400
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAR6404E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPD60R385CPATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SI3443DVTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP, P-Channel 20 V 4.4A (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IPA50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP, N-Channel 500 V 5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее