г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFS8408-7P Infineon Technologies

Артикул
AUIRFS8408-7P
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
474 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFS8408-7P.jpg
Other Names
SP001518804,IRAUIRFS8408-7P
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
294W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFS8408
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM136-1060B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 10A 600V ADV SIP05, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRG4RC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W DPAK, IGBT - 600 V 14 A 38 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BAR6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSZ520N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON, N-Channel 150 V 21A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRFB3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.5 A 34 W Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее