г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRLS3036 Infineon Technologies

Артикул
AUIRLS3036
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
1 206 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRLS3036.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
380W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11210 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
SP001521322
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ075N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON, N-Channel 80 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRLR2705PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK, N-Channel 55 V 28A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IMZ120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: IDW20G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 31A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IKW40N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IPP90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее