г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW30N60DTPXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 53A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 53 A 200 W Through Hole PG-TO247-3
Цена
529 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW30N60DTPXKSA1.jpg
Other Names
SP001379684
Test Condition
400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Power - Max
200 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
53 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Switching Energy
710µJ (on), 420µJ (off)
Gate Charge
130 nC
Td (on/off) @ 25°C
15ns/179ns
Base Product Number
IKW30N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop™
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
76 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAR66E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 200 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPB014N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IRFU220NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK, N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BAS 40-06 B5003
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRF7464
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO, N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PC30 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее