г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR6302VH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR6302VH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Цена
65 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAR6302VH6327XTSA1.jpg
Standard Package
3,000
Base Product Number
BAR63
Other Names
BAR6302VH6327XTSA1CT,BAR6302VH6327,BAR 63-02V H6327DKR-ND,BAR 63-02V H6327CT,BAR 63-02V H6327DKR,BAR6302VH6327XTSA1TR,BAR 63-02V H6327TR-ND,BAR 63-02V H6327CT-ND,INFINFBAR6302VH6327XTSA1,BAR6302VH6327XTSA1DKR,SP000742888,2156-BAR6302VH6327XTSA1,BAR 63-02V
Current - Max
100 mA
Diode Type
PIN - Single
Power Dissipation (Max)
250 mW
Capacitance @ Vr, F
0.3pF @ 5V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
50V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-79, SOD-523
Supplier Device Package
PG-SC79-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
1Ohm @ 10mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW15N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 217 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF840PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB, N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR503E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRFS4010-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRLR4132TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK,
Подробнее
Артикул: IRFS7440TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK, N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D?Pak)
Подробнее