г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF150R12ME3G Infineon Technologies

Артикул
FF150R12ME3G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Цена
14 868 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
EconoDUAL™
REACH Status
REACH Unaffected
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 150A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
10.5 nF @ 25 V
Power - Max
695 W
Supplier Device Package
AG-ECONOD-3
Package / Case
Module
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Other Names
2156-FF150R12ME3G,INFINFFF150R12ME3G
Standard Package
1
NTC Thermistor
Yes

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB61N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB, N-Channel 150 V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71UD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 99A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 99 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IPB010N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IDH20G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 41A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IRFS3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK, N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF5806TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее