г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR6402VH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR6402VH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Цена
64 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAR6402VH6327XTSA1.jpg
Standard Package
3,000
Base Product Number
BAR6402
Other Names
BAR 64-02V H6327CT,BAR6402VH6327,BAR6402VH6327XTSA1DKR,BAR 64-02V H6327TR-ND,BAR 64-02V H6327-ND,BAR6402VH6327XTSA1CT,BAR 64-02V H6327DKR-ND,BAR 64-02V H6327TR,BAR 64-02V H6327,SP000743408,BAR6402VH6327XTSA1TR,BAR 64-02V H6327DKR,BAR 64-02V H6327CT-ND
Current - Max
100 mA
Diode Type
PIN - Single
Power Dissipation (Max)
250 mW
Capacitance @ Vr, F
0.35pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
150V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-79, SOD-523
Supplier Device Package
PG-SC79-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SKW07N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 16.5A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFI4510GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 100V 35A TO220, N-Channel 100 V 35A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: SPA15N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP, N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IGCM04G60HAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IPW60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFS30067PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее