г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS70-04E6327 Infineon Technologies

Артикул
BAS70-04E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/BAS70-04E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Other Names
2156-BAS70-04E6327,IFEINFBAS70-04E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPZA60R024P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3, N-Channel 600 V 101A (Tc) 291W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Подробнее
Артикул: BFP620H7764XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4, RF Transistor NPN 2.8V 80mA 65GHz 185mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее
Артикул: IRF7465
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO, N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPI80N03S4L-04
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BBY5803WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE TUNING 10V 20MA SOD-323, Varactors Single 10 V Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее

Ваша заявка принята