г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAT6406WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAT6406WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount SC-70, SOT-323
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/BAT6406WH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BAT6406
Other Names
BAT 64-06W H6327TR-ND,BAT 64-06W H6327CT-ND,BAT 64-06W H6327-ND,2156-BAT6406WH6327XTSA1,BAT6406WH6327,SP000749842,BAT6406WH6327XTSA1CT,BAT 64-06W H6327DKR,BAT 64-06W H6327DKR-ND,BAT 64-06W H6327CT,BAT6406WH6327XTSA1DKR,BAT6406WH6327XTSA1TR,BAT 64-06W H632
Speed
Small Signal =
Diode Type
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
40 V
Reverse Recovery Time (trr)
5 ns
Diode Configuration
1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
120mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
2 µA @ 30 V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL3714ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB, N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPA80R1K2P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220, N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Подробнее
Артикул: BSG0810NDIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Подробнее
Артикул: AUIRFR1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRFR1010 - 55V-60V N-CHANNEL A, N-Channel 55 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: BCR583E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF7905PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.8A, 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее