г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC848CE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BC848CE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
4 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC848CE6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BC848
Other Names
BC848CE6327BTSA1,BC848CE6327XT,BC848CE6327,BC 848C E6327-ND,IFEINFBC848CE6327HTSA1,BC848CE6327HTSA1CT,BC 848C E6327DKR,BC848CE6327HTSA1DKR,BC 848C E6327CT-ND,SP000010552,BC848CE6327HTSA1TR,BC 848C E6327CT,BC 848C E6327,2156-BC848CE6327HTSA1-ITTR,BC 848C E
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFZ48NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK, N-Channel 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF5805
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6, P-Channel 30 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRFS4615TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7606TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8, P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IDW10G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 17A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BSP296NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее