г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP296NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSP296NH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSP296NH6327XTSA1TR,SP001059330,BSP296NH6327XTSA1CT,BSP296NH6327XTSA1-ND,BSP296NH6327XTSA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
152.7 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSP296
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW47N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 99A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 99 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFPS3810PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: FS50R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 270W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BAR6702VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 200 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее