г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC858CE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BC858CE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC858CE6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BC858
Other Names
BC858CE6327,BC858CE6327BTSA1,BC858CE6327HTSA1DKR,BC858CE6327HTSA1TR,2156-BC858CE6327HTSA1-ITTR,BC 858C E6327DKR-ND,BC 858C E6327CT-ND,BC 858C E6327,BC 858C E6327CT,BC 858C E6327TR-ND,BC858CE6327HTSA1CT,BC 858C E6327-ND,BC858CE6327XT,INFINFBC858CE6327HTSA1
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW30N160R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1600 V 60 A 263 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: SPW55N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3, N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFB4212PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB, N-Channel 100 V 18A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее