г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD50R380CEAUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3, N-Channel 500 V 14.1A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD50R380CEAUMA1.jpg
Other Names
2156-IPD50R380CEAUMA1,ROCINFIPD50R380CEAUMA1,IPD50R380CEAUMA1CT,IPD50R380CEAUMA1DKR,SP001396790,IPD50R380CEAUMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
98W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
584 pF @ 100 V
FET Feature
Super Junction
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Base Product Number
IPD50R380
Mounting Type
Surface Mount
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4640D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 65A TO247AC, IGBT - 600 V 65 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAT1704E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF6775MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET, N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: D921S45TXPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A, Diode Standard 4500 V 1630A Chassis Mount -
Подробнее
Артикул: BSC028N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее