г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR133E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 133 E6327,BCR133INTR,BCR133E6327BTSA1,BCR133INCT-ND,BCR133INTR-NDR,BCR133INDKR,BCR133INDKR-ND,BCR133INCT-NDR,INFINFBCR133E6327HTSA1,BCR133E6327XT,BCR133XTINTR,BCR133XTINTR-ND,BCR133E6327HTSA1DKR,BCR133E6327HTSA1TR,BCR133INCT,BCR133,BCR133XTINCT-ND,BCR
Power - Max
200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Base Product Number
BCR133
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM136-1060B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 10A 600V ADV SIP05, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFS3307ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7493PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO, N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF1400R17IP4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 1400A, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700 V 1400 A 955000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRFR6215TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее