г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4P254S Infineon Technologies

Артикул
IRG4P254S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 250V 98A 200W TO247AC, IGBT - 250 V 98 A 200 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4P254S.jpg
Other Names
*IRG4P254S
Test Condition
200V, 55A, 5Ohm, 15V
Power - Max
200 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V
Current - Collector (Ic) (Max)
98 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
196 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 15V, 55A
Switching Energy
380µJ (on), 3.5mJ (off)
Gate Charge
200 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
40ns/270ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7353D1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRFS4010
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BSM150GT120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IGCM06F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IDL12G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 12A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее
Артикул: IPW60R280C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее