BCR142E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR142E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR142E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

3,000

Other Names

IFEINFBCR142E6327,2156-BCR142E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLL024NTRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Подробнее

Артикул: IRGP20B60PDPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 600V 40A 220W TO247AC, IGBT NPT 600 V 40 A 220 W Through Hole TO-247AC

Подробнее

Артикул: IRF7453TRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO, N-Channel 250 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: BSC130P03LS G

Бренд: Infineon Technologies

Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,

Подробнее

Артикул: IRF7413ZPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRF6727MTR1PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Подробнее

BCR142E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята