г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR2307Z Infineon Technologies

Артикул
IRFR2307Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR2307Z.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2190 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001552080,*IRFR2307Z
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD65R660CFDBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC50U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCP52-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 60V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: SPD15P10P G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRGPS60B120KDP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 105A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFSL4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A TO262, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее