BCR166E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR166E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR166E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR166E6327,2156-BCR166E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4BC40SPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 600V 60A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 60 A 160 W Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: IPC100N04S52R8ATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34, N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34

Подробнее

Артикул: IRF4905LPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 55V 42A TO262, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262

Подробнее

Артикул: IRFS3107TRL7PP

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK, N-Channel 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)

Подробнее

Артикул: 2ED300C17STROHSBPSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT MODULE 1700V 30A, IGBT Module - 2 Independent 1700 V Through Hole Module

Подробнее

Артикул: SPS01N60C3

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3, N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11

Подробнее

BCR166E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята