г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR166E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCR166E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR166E6327.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
INFINFBCR166E6327,2156-BCR166E6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPA20N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRG4PH40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPA50R280CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP, N-Channel 500 V 13A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IPW60R125CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M,
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 31 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPD80R900P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее