BCR166E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR166E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR166E6327.jpg

REACH Status

REACH Unaffected

Standard Package

Other Names

INFINFBCR166E6327,2156-BCR166E6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF7811AVTR

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRF6775MTRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET, N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ

Подробнее

Артикул: IRL3303

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB, N-Channel 30 V 38A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: SPB04N60C3

Бренд: Infineon Technologies

Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,

Подробнее

Артикул: AUIRFZ44ZS

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK

Подробнее

Артикул: SGW30N60HS

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole PG-TO247-3-1

Подробнее

BCR166E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята