г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR198E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR198E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR198E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 198 E6327CT-ND,SP000010817,BCR 198 E6327DKR,BCR198E6327,BCR 198 E6327TR-ND,BCR 198 E6327DKR-ND,BCR 198 E6327,BCR198E6327BTSA1,BCR198E6327XT,BCR198E6327HTSA1TR,2156-BCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327-ND,IFEINFBCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327CT,BCR198E6327HTS
Power - Max
200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
190 MHz
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
BCR198
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ075N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON, N-Channel 80 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: BAS2103WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323, Diode Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF6636
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET, N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее
Артикул: IRF40B207
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB, N-Channel 40 V 95A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLIZ34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP, N-Channel 55 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее