г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR198E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR198E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR198E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 198 E6327CT-ND,SP000010817,BCR 198 E6327DKR,BCR198E6327,BCR 198 E6327TR-ND,BCR 198 E6327DKR-ND,BCR 198 E6327,BCR198E6327BTSA1,BCR198E6327XT,BCR198E6327HTSA1TR,2156-BCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327-ND,IFEINFBCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327CT,BCR198E6327HTS
Power - Max
200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
190 MHz
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
BCR198
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB80R290C3A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRFB3507
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6648TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: AUIRF6218S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRF6725MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET, N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: IPI075N15N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3, N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее