г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR198E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR198E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR198E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 198 E6327CT-ND,SP000010817,BCR 198 E6327DKR,BCR198E6327,BCR 198 E6327TR-ND,BCR 198 E6327DKR-ND,BCR 198 E6327,BCR198E6327BTSA1,BCR198E6327XT,BCR198E6327HTSA1TR,2156-BCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327-ND,IFEINFBCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327CT,BCR198E6327HTS
Power - Max
200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
190 MHz
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
BCR198
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC190N12NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON, N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: BSC120N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON, N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: AUIRGP4066D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 140A 454W TO-247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF4905STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPA80R280P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F, N-Channel 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее