г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR198E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR198E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR198E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 198 E6327CT-ND,SP000010817,BCR 198 E6327DKR,BCR198E6327,BCR 198 E6327TR-ND,BCR 198 E6327DKR-ND,BCR 198 E6327,BCR198E6327BTSA1,BCR198E6327XT,BCR198E6327HTSA1TR,2156-BCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327-ND,IFEINFBCR198E6327HTSA1,BCR 198 E6327CT,BCR198E6327HTS
Power - Max
200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
190 MHz
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
BCR198
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP4110PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPU60R1K0CEAKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: IRLIB4343
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP, N-Channel 55 V 19A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF3710ZSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK, N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL3713PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB, N-Channel 30 V 260A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6216TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее