г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA80R280P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPA80R280P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F, N-Channel 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Цена
636 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA80R280P7XKSA1.jpg
Other Names
SP001422552
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET Feature
Super Junction
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IPA80R280
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGS14C40LTRLP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A TO263AB, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount TO-263AB
Подробнее
Артикул: BGX50AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BRIDGE RECT 1P 70V 140MA SOT143, Bridge Rectifier Single Phase Standard 70 V Surface Mount PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: BAR6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRGB20B60PD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 215W TO220AB, IGBT NPT 600 V 40 A 215 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SI4435DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSZ0702LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее