г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCV49H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCV49H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 150MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89
Цена
36 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCV49H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BCV49
Other Names
SP001125332
Power - Max
1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.29.0075
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Supplier Device Package
PG-SOT89
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
150MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPB80P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: FP100R12KT4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 515W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 515 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF630NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK, N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF5803TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: AUIRFSL4115
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 99A TO262, N-Channel 150 V 99A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее