г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCW60B Infineon Technologies

Артикул
BCW60B
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCW60B.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Power - Max
350 mW
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 5V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Other Names
INFINFBCW60B,2156-BCW60B-ITTR
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
125MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW40N65H5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3,
Подробнее
Артикул: BSZ100N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRFB3004PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD160N04LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPA95R1K2P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO220, N-Channel 950 V 6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее