г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ100N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
171 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ100N06NSATMA1.jpg
Other Names
BSZ100N06NSATMA1TR,SP001067006,BSZ100N06NSATMA1CT,BSZ100N06NSATMA1DKR,BSZ100N06NSATMA1-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 36W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1075 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ100
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL60B216
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее
Артикул: IRGB20B60PD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 215W TO220AB, IGBT NPT 600 V 40 A 215 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPI075N15N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3, N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IPW60R120C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3, N-Channel 600 V 19A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее