г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH30KDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH30KDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH30KDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.2V @ 15V, 10A
Power - Max
100 W
Switching Energy
950µJ (on), 1.15mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
53 nC
Td (on/off) @ 25°C
39ns/220ns
Test Condition
800V, 10A, 23Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRG4PH30KDPBF-448,*IRG4PH30KDPBF,SP001536034
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3507PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR8256TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK, N-Channel 25 V 81A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IKW40N65ET7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW40N65ET7XKSA1, IGBT Trench Field Stop 650 V 76 A 230.8 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPSA70R360P7SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3, N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: TZ800N18KOFHPSA3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCR MODULE 1.8KV 1500A MODULE, SCR Module 1.8 kV 1500 A Single Chassis Mount Module
Подробнее