г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCW61CE6327 Infineon Technologies

Артикул
BCW61CE6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCW61CE6327.jpg
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
PG-SOT23
Power - Max
330 mW
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 2mA, 5V
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFBCW61CE6327,2156-BCW61CE6327
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR2905TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRGP4069PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT Trench 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF6662TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: IRG7PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 140A 556W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRF3808S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее