г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSM50GD120DN2BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP35N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3, N-Channel 100 V 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR3707ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK, N-Channel 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSZ900N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON, N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRFR5305TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPP60R099C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IGW75N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 150 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее

Ваша заявка принята