г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCW65C Infineon Technologies

Артикул
BCW65C
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCW65C.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
INFINFBCW65C,2156-BCW65C
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB60R380C6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK, N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IDH06SG60CXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IRFU120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BAT1504RE6152HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRF3805S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF3708S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее