г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCX41E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCX41E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCX41E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BCX41
Other Names
BCX41E6327HTSA1DKR,BCX41E6327BTSA1,BCX 41 E6327,BCX41E6327HTSA1TR,BCX 41 E6327DKR,BCX41E6327XT,SP000010894,BCX41E6327,BCX 41 E6327CT-ND,BCX 41 E6327TR-ND,BCX 41 E6327-ND,BCX41E6327HTSA1CT,BCX 41 E6327DKR-ND,BCX 41 E6327CT
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
125 V
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R090CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF7706
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP, P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.51W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IPI80CN10NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRFS4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK, N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4PC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее