г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCX41E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCX41E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCX41E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BCX41
Other Names
BCX41E6327HTSA1DKR,BCX41E6327BTSA1,BCX 41 E6327,BCX41E6327HTSA1TR,BCX 41 E6327DKR,BCX41E6327XT,SP000010894,BCX41E6327,BCX 41 E6327CT-ND,BCX 41 E6327TR-ND,BCX 41 E6327-ND,BCX41E6327HTSA1CT,BCX 41 E6327DKR-ND,BCX 41 E6327CT
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
125 V
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
900mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR3411PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK, N-Channel 100 V 32A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFBA1405PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220, N-Channel 55 V 174A (Tc) 330W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: BCR166E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF7834
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO, N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IPD60R1K0CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее