г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BFN27E6327HTSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCW60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRGS14C40L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A 125W D2PAK, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7342D2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO, P-Channel 55 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC, N-Channel 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPP60R450E6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3, N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPD95R1K2P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3, N-Channel 950 V 6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее