г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BFN27E6327HTSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BSS131H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3, N-Channel 240 V 110mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRF4104
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BSZ900N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON, N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS35R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRF7324
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее