г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFP450E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFP450E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, RF Transistor NPN 5V 100mA 24GHz 450mW Surface Mount PG-SOT343-4
Цена
47 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFP450E6327.jpg
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
PG-SOT343-4
Power - Max
450mW
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 50mA, 4V
Frequency - Transition
24GHz
Gain
15.5dB
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1
Other Names
INFINFBFP450E6327,2156-BFP450E6327
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-82A, SOT-343
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.25dB @ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R125CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3, N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC0906NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW,
Подробнее
Артикул: IRFB4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB, N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1B11BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Подробнее