г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFP740H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343, RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFP740H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFP740
Other Names
BFP 740 H6327DKR,INFINFBFP740H6327XTSA1,BFP740H6327XTSA1TR,BFP740H6327,BFP 740 H6327CT,BFP 740 H6327DKR-ND,BFP 740 H6327,BFP740H6327XTSA1CT,BFP740H6327XTSA1DKR,SP000750414,BFP 740 H6327TR,BFP 740 H6327TR-ND,2156-BFP740H6327XTSA1,BFP 740 H6327CT-ND
Power - Max
160mW
Gain
27dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
4.7V
Current - Collector (Ic) (Max)
30mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition
42GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-4-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1405PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB, N-Channel 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPW90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее
Артикул: IRLR3114ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRLR2905Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SPB77N06S2-12
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее