г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFP740H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343, RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFP740H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFP740
Other Names
BFP 740 H6327DKR,INFINFBFP740H6327XTSA1,BFP740H6327XTSA1TR,BFP740H6327,BFP 740 H6327CT,BFP 740 H6327DKR-ND,BFP 740 H6327,BFP740H6327XTSA1CT,BFP740H6327XTSA1DKR,SP000750414,BFP 740 H6327TR,BFP 740 H6327TR-ND,2156-BFP740H6327XTSA1,BFP 740 H6327CT-ND
Power - Max
160mW
Gain
27dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
4.7V
Current - Collector (Ic) (Max)
30mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition
42GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-4-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ215CHXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: FF900R12IP4BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 5100W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 5100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF6641TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET, N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: IDW10G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 17A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IGCM06F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: SI3443DV
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6, P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее