г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR182E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR182E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR182E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BFR182E6327,IFEINFBFR182E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM50GP120BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 50A, IGBT Module - 3 Phase Inverter 1200 V 80 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPP076N15N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3, N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPA60R360P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO220, N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL2203NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK, N-Channel 30 V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF2807ZSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее