г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR182E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR182E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR182E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BFR182E6327,IFEINFBFR182E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLL3303
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223, N-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BSM100GB120DN2K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Подробнее
Артикул: BSZ0905PNSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8, P-Channel 30 V 40A (Tc) 69W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8
Подробнее
Артикул: BSC016N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: BCR198E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее