г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR182E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR182E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR182E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BFR182E6327,IFEINFBFR182E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPN01N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4, N-Channel 650 V 300mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: BSC0911NDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Подробнее
Артикул: IRFZ46Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP4137PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC, N-Channel 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4IBC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 17A 45W TO220FP, IGBT - 600 V 17 A 45 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRLR8103V
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK, N-Channel 30 V 91A (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее