г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR193FH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSFP-3
Цена
93 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193FH6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR193
Other Names
BFR 193F H6327,BFR 193F H6327CT,BFR193FH6327XTSA1CT,BFR 193F H6327-ND,BFR193FH6327XTSA1TR,BFR 193F H6327DKR-ND,BFR193FH6327XTSA1DKR,SP000750424,BFR 193F H6327TR-ND,BFR 193F H6327CT-ND,BFR 193F H6327DKR
Power - Max
580mW
Gain
12.5dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Supplier Device Package
PG-TSFP-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP126N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC15UD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 49W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 49 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PC40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: DDB6U145N16LHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V, Diode Array 3 Independent Standard 1600 V - Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее