г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR3705ZTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
339 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR3705ZTRPBF.jpg
Other Names
IRLR3705ZTRPBF-ND,IRLR3705ZTRPBFCT,IRLR3705ZTRPBFTR,SP001576986,IRLR3705ZTRPBFDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IRLR3705
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR9120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IMW120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FT150R12KE3G_B4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 700W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 200 A 700 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7853TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO, N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSZ12DN20NS3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее