г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193WH6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR193WH6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193WH6327.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
3,000
Other Names
IFEINFBFR193WH6327,2156-BFR193WH6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BBY57-02VH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее
Артикул: IPA95R1K2P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO220, N-Channel 950 V 6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: FD250R65KE3KNOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 250A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPD060N03LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPA60R360P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO220, N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее