г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193WH6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR193WH6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193WH6327.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
3,000
Other Names
IFEINFBFR193WH6327,2156-BFR193WH6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC014N04LSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON, N-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IKCM30F60GDXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRF7828TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PH20KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BUZ323
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее