г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193WH6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR193WH6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193WH6327.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
3,000
Other Names
IFEINFBFR193WH6327,2156-BFR193WH6327
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFS8409
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH20K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF8736PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO, N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLTS6342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP, N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IRGP4063-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 96A 330W TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BSM50GP120BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 50A, IGBT Module - 3 Phase Inverter 1200 V 80 A Chassis Mount Module
Подробнее