г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFS483H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
143 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFS483H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFS483
Other Names
BFS483H6327XTSA1TR,BFS 483 H6327DKR,BFS 483 H6327CT,BFS483H6327XTSA1CT,BFS 483 H6327,BFS 483 H6327DKR-ND,BFS483H6327XTSA1DKR,BFS 483 H6327-ND,SP000750464,BFS 483 H6327CT-ND,BFS 483 H6327TR-ND
Power - Max
450mW
Gain
19dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
Transistor Type
2 NPN (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4110PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ086P03NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC POWER MODULE PLUG N DRIVE INT, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AD, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF9953
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF2807ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее