г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC009NE2LS5IATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON, N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
443 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC009NE2LS5IATMA1.jpg
Other Names
BSC009NE2LS5IATMA1-ND,SP001212434,BSC009NE2LS5IATMA1CT,BSC009NE2LS5IATMA1DKR,BSC009NE2LS5IATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 12 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC009
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW75N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 150 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IDH10G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IKW50N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRLI530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRLMS6802TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6, P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRF6894MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее