г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC009NE2LS5IATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON, N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
443 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC009NE2LS5IATMA1.jpg
Other Names
BSC009NE2LS5IATMA1-ND,SP001212434,BSC009NE2LS5IATMA1CT,BSC009NE2LS5IATMA1DKR,BSC009NE2LS5IATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 12 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC009
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 100A, IGBT Module NPT Single 1200 V 100 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BC807-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IKW75N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFR2307ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SGW20N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: SPW47N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее