г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC009NE2LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
355 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC009NE2LSATMA1.jpg
Other Names
BSC009NE2LSATMA1DKR,BSC009NE2LSCT-ND,BSC009NE2LS-ND,BSC009NE2LSATMA1TR,BSC009NE2LSATMA1CT,BSC009NE2LS,SP000893362,BSC009NE2LSCT,BSC009NE2LSDKR,BSC009NE2LSDKR-ND,BSC009NE2LSTR-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5800 pF @ 12 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC009
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSB017N03LX3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON, N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: IRF1018ESPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK, N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLL024ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223, N-Channel 55 V 5A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IPP126N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BCR583
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF9410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO, N-Channel 30 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее