г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC009NE2LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
355 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC009NE2LSATMA1.jpg
Other Names
BSC009NE2LSATMA1DKR,BSC009NE2LSCT-ND,BSC009NE2LS-ND,BSC009NE2LSATMA1TR,BSC009NE2LSATMA1CT,BSC009NE2LS,SP000893362,BSC009NE2LSCT,BSC009NE2LSDKR,BSC009NE2LSDKR-ND,BSC009NE2LSTR-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5800 pF @ 12 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC009
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SGW20N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FS100R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 140A 480W, IGBT Module NPT Single 1200 V 140 A 480 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7450TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO, N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF9956
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSO052N03S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее